4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭心宇; 汤益丹 ; 董升旭; 杨成樾; 白云
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| 刊名 | 电工电能新技术
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| 出版日期 | 2018-10-10 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18998]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭心宇,汤益丹,董升旭,等. 4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制[J]. 电工电能新技术,2018. |
| APA | 郭心宇,汤益丹,董升旭,杨成樾,&白云.(2018).4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制.电工电能新技术. |
| MLA | 郭心宇,et al."4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制".电工电能新技术 (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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