Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu XY(刘新宇) ; Dong SX(董升旭); Bai Y(白云); Tang YD(汤益丹); Chen H(陈宏); Tian XL(田晓丽); Yang CY(杨成樾)
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| 刊名 | Chin. Phys. B
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| 出版日期 | 2018-09-09 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18999]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu XY,Dong SX,Bai Y,et al. Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures[J]. Chin. Phys. B,2018. |
| APA | Liu XY.,Dong SX.,Bai Y.,Tang YD.,Chen H.,...&Yang CY.(2018).Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures.Chin. Phys. B. |
| MLA | Liu XY,et al."Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures".Chin. Phys. B (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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