基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋瓘; 杜丽霞; 谭犇; 陈宏 ; 顾航; 白云
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| 刊名 | 电工电能新技术
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| 出版日期 | 2018-10-10 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19000]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋瓘,杜丽霞,谭犇,等. 基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究[J]. 电工电能新技术,2018. |
| APA | 宋瓘,杜丽霞,谭犇,陈宏,顾航,&白云.(2018).基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究.电工电能新技术. |
| MLA | 宋瓘,et al."基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究".电工电能新技术 (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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