1200V SiC超结VDMOS研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷天民; 郭心宇; 白云
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| 刊名 | 电工电能新技术
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| 出版日期 | 2018-10-10 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19001]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷天民,郭心宇,白云. 1200V SiC超结VDMOS研究[J]. 电工电能新技术,2018. |
| APA | 雷天民,郭心宇,&白云.(2018).1200V SiC超结VDMOS研究.电工电能新技术. |
| MLA | 雷天民,et al."1200V SiC超结VDMOS研究".电工电能新技术 (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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