Gate leakage optimization of AlGaN/GaN HEMTs by N2 plasma surface treatment
文献类型：会议论文
| 作者 | Liang JX(梁竞贤); Wei K(魏珂) ; Luo WJ(罗卫军)
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| 出版日期 | 2018-11-03 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19129]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liang JX,Wei K,Luo WJ. Gate leakage optimization of AlGaN/GaN HEMTs by N2 plasma surface treatment[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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