Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method
文献类型：会议论文
| 作者 | Tang YD(汤益丹) ; Peng CY(彭朝阳); Wang SK(王盛凯); Hao JL(郝继龙); Liu XY(刘新宇); Bai Y(白云)
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| 出版日期 | 2018-09-12 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19134]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tang YD,Peng CY,Wang SK,et al. Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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