宽带低相噪CMOS LC VCO的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶青; 叶甜春 ; 王云峰; 满家汉
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2009 |
| 英文摘要 | 设计了一款宽带CMOSLCVCO，在分析VCO相位噪声来源的基础上，对VCO进行了结构优化和噪声滤除，并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0．18μmCMOS射频工艺进行流片验证，芯片面积为0．4mm×1mm。测试结果显示：芯片的工作频率为3．34～4．17GHz，中心频率为4．02GHz时输出功率是-9．11dBm，相位噪声为一120dBc／Hz@1MHz，在1．8V工作电压下的功耗为10mW。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-11-05 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13831]  |
| 专题 | 微电子研究所_智能感知研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶青,叶甜春,王云峰,等. 宽带低相噪CMOS LC VCO的设计[J]. 固体电子学研究与进展,2009. |
| APA | 叶青,叶甜春,王云峰,&满家汉.(2009).宽带低相噪CMOS LC VCO的设计.固体电子学研究与进展. |
| MLA | 叶青,et al."宽带低相噪CMOS LC VCO的设计".固体电子学研究与进展 (2009). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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