摘要： 亚阈值工作状态下，传统的 SRAM 单元尺寸设计方法存在很大的局限性，会引起严重的单元面积和外围电路开销。因此，传统的方法不再适用于亚阈值区 SRAM 设计。本文通过引入晶体管的反短沟效应和反窄沟效应，改进了传统的尺寸设计方法，不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围读写辅助电路开销过大的问题，还进一步提升了 SRAM 单元的噪声容限和读写速度。本文以 SRAM 10 管单元为研究对象，基于 SMIC 130 nm 工艺进行物理实现，测试结果表明，相比于传统方于面积开销 76%，提升 SRAM 噪声容限 30.5%，能帮助 SRAM 稳定地工作在 320 mV 的电压下。 SMIC 130 nm 工艺进行物理实现，测试结果表明，相比于传统方法，本文提出的尺寸设计方法节省单元法，本文提出的尺寸设计方法节省单元面积开销 76%，提升 SRAM 噪声容限 30.5%，能帮助 SRAM 稳定地工作在 320 mV 的电压下。