High Noise Margin 12T Subthreshold SRAM cell with Enhanced Read Speed and Eliminated Half-selected Problem
文献类型：会议论文
| 作者 | Chen LM(陈黎明); Cai JZ(蔡江铮); Yuan J(袁甲) |
| 出版日期 | 2016-10-27 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16309]  |
| 专题 | 微电子研究所_智能感知研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen LM,Cai JZ,Yuan J. High Noise Margin 12T Subthreshold SRAM cell with Enhanced Read Speed and Eliminated Half-selected Problem[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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