集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 王玮冰![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018-10-09 |
专利号 | CN201610798788.4 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开一种集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述集成纳米结构的MEMS红外光源包括承载衬底、支撑层、隔离层、图形化金属电极以及纳米材料辐射层;所述纳米材料辐射层覆盖在图形化金属电极上;所述图形化金属电极设于隔离层上方;所述隔离层设于支撑层上方;所述纳米材料辐射层、图形化电极、隔离层、支撑层均悬浮于所述承载衬底上。本发明可以大幅减少热传导通路,降低热质量,提高红外光源的性能;并且避免后续干法释放对结构的损坏,提高了结构稳定性。 |
公开日期 | 2017-02-01 |
申请日期 | 2016-08-31 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18610] ![]() |
专题 | 微电子研究所_智能感知研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玮冰,李超波,陈大鹏,等. 集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法. CN201610798788.4. 2018-10-09. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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