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集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法

文献类型:专利

作者王玮冰; 李超波; 陈大鹏; 明安杰; 刘卫兵
发表日期2018-10-09
专利号CN201610798788.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开一种集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述集成纳米结构的MEMS红外光源包括承载衬底、支撑层、隔离层、图形化金属电极以及纳米材料辐射层;所述纳米材料辐射层覆盖在图形化金属电极上;所述图形化金属电极设于隔离层上方;所述隔离层设于支撑层上方;所述纳米材料辐射层、图形化电极、隔离层、支撑层均悬浮于所述承载衬底上。本发明可以大幅减少热传导通路,降低热质量,提高红外光源的性能;并且避免后续干法释放对结构的损坏,提高了结构稳定性。

公开日期2017-02-01
申请日期2016-08-31
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18610]  
专题微电子研究所_智能感知研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王玮冰,李超波,陈大鹏,等. 集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法. CN201610798788.4. 2018-10-09.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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