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一种填充冗余金属的方法

文献类型:专利

作者马天宇; 陈岚; 阮文彪; 李志刚; 叶甜春
发表日期2013-10-02
专利号CN201010615066.3
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供一种根据芯片表面厚度和金属线耦合电容进行冗余金属填充的方法,这种方法同时使用CMP模拟器模拟平坦性和电容提取工具提取金属线间电容来对冗余金属填充进行评估和调整,通过多次迭代过程消除平坦性热点和电容热点,从而确保CMP后芯片厚度的一致性以及芯片中金属线的信号完整性,在提高芯片的良率的同时确保了芯片的功能不受影响。

公开日期2011-07-20
申请日期2010-12-30
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/13714]  
专题微电子研究所_EDA中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
马天宇,陈岚,阮文彪,等. 一种填充冗余金属的方法. CN201010615066.3. 2013-10-02.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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