集成电路版图中冗余金属的填充方法
文献类型:专利
作者 | 叶甜春![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2013-07-03 |
专利号 | CN201010514565.3 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响,这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响,提高产品的可靠性。 |
公开日期 | 2012-05-16 |
申请日期 | 2010-10-21 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13722] ![]() |
专题 | 微电子研究所_EDA中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春,杨飞,陈岚,等. 集成电路版图中冗余金属的填充方法. CN201010514565.3. 2013-07-03. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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