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集成电路版图中冗余金属的填充方法

文献类型:专利

作者叶甜春; 杨飞; 陈岚; 阮文彪; 李志刚; 王强; 周隽雄
发表日期2013-07-03
专利号CN201010514565.3
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法,属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离,在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目,同时避免冗余金属的交错排列,改变冗余金属的摆放方式,从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响,这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响,提高产品的可靠性。

公开日期2012-05-16
申请日期2010-10-21
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/13722]  
专题微电子研究所_EDA中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
叶甜春,杨飞,陈岚,等. 集成电路版图中冗余金属的填充方法. CN201010514565.3. 2013-07-03.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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