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一种冗余金属的填充方法及其系统

文献类型:专利

作者陈岚; 孙艳; 曹鹤
发表日期2018-01-30
专利号CN201410723722.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供一种冗余金属的填充方法,包括步骤:提供具有金属层的集成电路版图;确定可填充区域;将可填充区域划分为矩形区域,矩形区域的边框由金属层的边界限定;根据临界间距尺寸,确定矩形区域是否需要填充;将需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充。该方法使得需填充区域的确定更精确,并且矩形的区域更易于进行填充参数的调整和填充,有效解决CMP研磨工艺中的缺陷。

公开日期2015-02-25
申请日期2014-12-02
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18632]  
专题微电子研究所_EDA中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈岚,孙艳,曹鹤. 一种冗余金属的填充方法及其系统. CN201410723722.X. 2018-01-30.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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