一种冗余金属的填充方法及其系统
文献类型:专利
作者 | 陈岚![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018-01-30 |
专利号 | CN201410723722.X |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供一种冗余金属的填充方法,包括步骤:提供具有金属层的集成电路版图;确定可填充区域;将可填充区域划分为矩形区域,矩形区域的边框由金属层的边界限定;根据临界间距尺寸,确定矩形区域是否需要填充;将需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充。该方法使得需填充区域的确定更精确,并且矩形的区域更易于进行填充参数的调整和填充,有效解决CMP研磨工艺中的缺陷。 |
公开日期 | 2015-02-25 |
申请日期 | 2014-12-02 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18632] ![]() |
专题 | 微电子研究所_EDA中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈岚,孙艳,曹鹤. 一种冗余金属的填充方法及其系统. CN201410723722.X. 2018-01-30. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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