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纳米工艺浮动容忍的SRAM设计技术研究

文献类型:学位论文

作者陈巍巍
答辩日期2019-05-25
文献子类博士
授予单位中国科学院大学
导师陈岚 ; 杨士宁
学位专业电子与信息
源URL[http://ir.ime.ac.cn/handle/172511/19361]  
专题微电子研究所_EDA中心
推荐引用方式
GB/T 7714
陈巍巍. 纳米工艺浮动容忍的SRAM设计技术研究[D]. 中国科学院大学. 2019.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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