利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 万里兮 ; 李宝霞; 吕垚
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| 刊名 | 电子元件与材料
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 10页码:4，11-14 |
| 关键词 | 半导体pn结 结电容 沟道电容 半导体工艺 电容器 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 其他题名 | Trench capacitors based on semiconductor pn junction capacitance |
| 英文摘要 | 为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求，利用感应耦合等离子体刻蚀技术（ICP），对低阻P型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射A1电极等工艺，使之形成凹槽状三维结构，制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单，电容量大（电容密度可达2．2×10^-9F／mm^2），容值可调，与现有微电子工艺兼容，可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性，该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2274]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万里兮,李宝霞,吕垚. 利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器[J]. 电子元件与材料,2009(10):4，11-14. |
| APA | 万里兮,李宝霞,&吕垚.(2009).利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器.电子元件与材料(10),4，11-14. |
| MLA | 万里兮,et al."利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器".电子元件与材料 .10(2009):4，11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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