硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 万里兮 ; 吕垚; 李宝霞
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 39期号:5页码:4，729-732 |
| 关键词 | Icp 硅刻蚀 深槽刻蚀 刻蚀形貌 刻蚀速率 选择比 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 其他题名 | Effects of Technical Parameters on Etching Rate and Selectivity of Si Deep Trench Using ICP Etching |
| 英文摘要 | 以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数，对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善，使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求，解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明，Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体，对Si的刻蚀具有各向同性；C2H4作钝化气体，能够对刻蚀侧壁进行有效的保护，但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比，需对其含量及配比严格控制。研究结果为：SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀，且具有较大的选择比，初步满足深硅槽刻蚀的条件。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2278]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万里兮,吕垚,李宝霞. 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响[J]. 微电子学,2009,39(5):4，729-732. |
| APA | 万里兮,吕垚,&李宝霞.(2009).硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响.微电子学,39(5),4，729-732. |
| MLA | 万里兮,et al."硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响".微电子学 39.5(2009):4，729-732. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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