同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋崇申 |
| 发表日期 | 2011-08-15 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，属于半导体制造、微电子封装和三维集成技术领域。所述方法包括在半导体衬底表面制作介质层的步骤；对所述介质层进行图形化刻蚀的步骤；对没有所述介质层覆盖区域的所述半导体衬底进行图形化刻蚀的步骤；在所述半导体衬底表面沉积绝缘层的步骤；实施导电材料填充工艺的步骤；对所述半导体衬底表面进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层的步骤。使用本发明提供的方法能够缩减工艺步骤、降低工艺成本，并提供工艺优化的更多自由度，保证最终产品的性能。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9677]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋崇申. 同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法. 2011-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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