制造硅通孔的方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋崇申 |
| 发表日期 | 2011-11-03 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种带互连层预定义的穿透硅通孔的制造方法，包括：在芯片上至少一层互连层中预定义穿透硅通孔；在所述预定义位置图形化刻蚀所述芯片表面介质层及衬底直至所述芯片衬底深处，获得阶梯形深孔；沉积绝缘层，覆盖所述阶梯形深孔开口表面及侧壁；准直刻蚀所述绝缘层，露出所述预定义穿透硅通孔的位置的互连层；实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述阶梯形深孔，完成穿透硅通孔制造并实现其与所述预定义穿透硅通孔的位置的互连层的电连接。使用本发明提供的方法能够缩减工艺步骤、降低工艺成本，获得高密度穿透硅通孔。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9687]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋崇申. 制造硅通孔的方法. 2011-11-03. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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