有关利用400度PECVD方法制备的硅通孔介质膜的性质和电学特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | Daquan Yu; Meiying su |
| 刊名 | thin solid films
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| 出版日期 | 2013-11-13 |
| 公开日期 | 2014-10-30 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12004]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Meiying su |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Daquan Yu,Meiying su. 有关利用400度PECVD方法制备的硅通孔介质膜的性质和电学特性研究[J]. thin solid films,2013. |
| APA | Daquan Yu,&Meiying su.(2013).有关利用400度PECVD方法制备的硅通孔介质膜的性质和电学特性研究.thin solid films. |
| MLA | Daquan Yu,et al."有关利用400度PECVD方法制备的硅通孔介质膜的性质和电学特性研究".thin solid films (2013). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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