一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 褚衍彪; 万里兮
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| 发表日期 | 2014-09-17 |
| 专利号 | CN104045056A |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种制造有序堆积的纳米线膜/体的离心法。利用离心原理，使纳米线轴向在离心力作用下趋向平行于离心半径方向，然后沉淀形成有序堆积的纳米线膜/体。所述有序堆积的纳米线膜/体，纳米线近似平行有序排列，纳米线彼此紧密接触，密实堆积。 |
| 申请日期 | 2014-07-04 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/311049/15456]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 褚衍彪,万里兮. 一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法. CN104045056A. 2014-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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