一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 丹尼尔吉多蒂; 于大全; 王启东 |
| 发表日期 | 2011-02-22 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法。所述垂直电连接结构包括第一绝缘层，所述第一绝缘层上具有多个通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的高度和通孔的深度相同，所述导体柱完全嵌入在第一绝缘层内。本发明位于不同平面电路之间的垂直电连接结构的生产成本低，通孔密度高，通孔位置精确，而且基板的材料和通孔中的导体材料选择范围也非常广。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15833]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丹尼尔吉多蒂,于大全,王启东. 一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法. 2011-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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