一种硅基转接板及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 周云燕![]() ![]() |
发表日期 | 2018-10-26 |
专利号 | CN201610108370.6 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 ; 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种硅基转接板及其制备方法,硅基转接板包括绝缘层、第一聚合物层和第一再布线层,第一聚合物层形成于绝缘层上,第一再布线层形成于第一聚合物层上,绝缘层开设有缺口,缺口的位置与第一再布线层地线位置至少部分重叠,以形成一不完整结构的绝缘层,本发明改善了转接板的信号传输特性,减小了信号的传输损耗,对高频信号的改善尤其明显,提高了传输线的信号完整性,提升了硅基转接板的整体性能,仅通过在绝缘层开设的缺口就提升了硅基转接板的传输性能,结构和工艺流程简单、易于实现。 |
公开日期 | 2016-05-11 |
申请日期 | 2016-02-26 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18704] ![]() |
专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周云燕,宋崇申,王启东. 一种硅基转接板及其制备方法. CN201610108370.6. 2018-10-26. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。