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一种硅基转接板及其制备方法

文献类型:专利

作者周云燕; 宋崇申; 王启东
发表日期2018-10-26
专利号CN201610108370.6
著作权人中国科学院微电子研究所 ; 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种硅基转接板及其制备方法,硅基转接板包括绝缘层、第一聚合物层和第一再布线层,第一聚合物层形成于绝缘层上,第一再布线层形成于第一聚合物层上,绝缘层开设有缺口,缺口的位置与第一再布线层地线位置至少部分重叠,以形成一不完整结构的绝缘层,本发明改善了转接板的信号传输特性,减小了信号的传输损耗,对高频信号的改善尤其明显,提高了传输线的信号完整性,提升了硅基转接板的整体性能,仅通过在绝缘层开设的缺口就提升了硅基转接板的传输性能,结构和工艺流程简单、易于实现。

公开日期2016-05-11
申请日期2016-02-26
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18704]  
专题微电子研究所_系统封装与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周云燕,宋崇申,王启东. 一种硅基转接板及其制备方法. CN201610108370.6. 2018-10-26.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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