X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王永坤; 陈大鹏 ; 余雷; 余建祖
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| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 2页码:6，34-39 |
| 关键词 | X射线光刻 掩模 后烘烤 有限元技术 瞬态温度场 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 英文摘要 | X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10.19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/816]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永坤,陈大鹏,余雷,等. X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析[J]. 微细加工技术,2003(2):6，34-39. |
| APA | 王永坤,陈大鹏,余雷,&余建祖.(2003).X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析.微细加工技术(2),6，34-39. |
| MLA | 王永坤,et al."X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析".微细加工技术 .2(2003):6，34-39. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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