X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王永坤; 余建祖; 余雷; 陈大鹏
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| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 3页码:19-23,28 |
| 关键词 | X射线掩模 掩模形变 背面刻蚀 有限元 平面内形变 非平面形变 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 英文摘要 | 开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1050]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永坤,余建祖,余雷,等. X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真[J]. 微细加工技术,2004(3):19-23,28. |
| APA | 王永坤,余建祖,余雷,&陈大鹏.(2004).X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真.微细加工技术(3),19-23,28. |
| MLA | 王永坤,et al."X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真".微细加工技术 .3(2004):19-23,28. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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