沉积温度对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王小波; 董立军 ; 陈大鹏; 刘渝珍
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:8页码:5，1553-1557 |
| 关键词 | Lpcvd 纳米硅镶嵌结构 Sinx薄膜 可见荧光 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 在3.75eV的激光激发下，利用LPCVD在800-950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中，在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射．通过TEM，IR，XPS等的分析研究表明，文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜．PL峰数目及其各峰的强弱与生成薄膜过程中反应气体SiH2Cl2的分解速率、沉积温度、SiNx生长过程有关，还与薄膜中纳米硅的团簇密度、尺寸大小以及各种不同类型的缺陷态种类和密度有十分重要的关系． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1132]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王小波,董立军,陈大鹏,等. 沉积温度对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响[J]. 半导体学报,2005,26(8):5，1553-1557. |
| APA | 王小波,董立军,陈大鹏,&刘渝珍.(2005).沉积温度对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响.半导体学报,26(8),5，1553-1557. |
| MLA | 王小波,et al."沉积温度对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响".半导体学报 26.8(2005):5，1553-1557. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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