基于SOISi片的二极管红外探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何伟; 陈大鹏 ; 明安杰; 黄卓磊; 欧毅; 焦斌斌; 薛惠琼
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| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 46期号:9页码:5，525-529 |
| 关键词 | 红外热成像 红外探测器 二极管 Soi 温度灵敏度 Ir |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 其他题名 | Diode Infrared Detectors Based on SOI Si Wafers |
| 英文摘要 | 介绍了红外热成像技术的几种技术方案，重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试，分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性，理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下，单个二极管的温度灵敏度分别为1．40，1．35和1．52mV／K，三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2280]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何伟,陈大鹏,明安杰,等. 基于SOISi片的二极管红外探测器[J]. 微纳电子技术,2009,46(9):5，525-529. |
| APA | 何伟.,陈大鹏.,明安杰.,黄卓磊.,欧毅.,...&薛惠琼.(2009).基于SOISi片的二极管红外探测器.微纳电子技术,46(9),5，525-529. |
| MLA | 何伟,et al."基于SOISi片的二极管红外探测器".微纳电子技术 46.9(2009):5，525-529. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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