先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李永亮; 徐秋霞 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 39期号:6页码:6，829-834 |
| 关键词 | 高k材料 金属栅 费米能级钉扎效应 盖帽层 离子注入 功函数 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 其他题名 | Latest Development of Integration of High-k/Dual Metal Gate in Gate First Process |
| 英文摘要 | 随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积一刻蚀一再淀积、双高K双金属栅的集成方案，也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应，通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂，可得到具有带边功函数的高K／双金属栅集成。多晶硅／金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2288]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李永亮,徐秋霞. 先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展[J]. 微电子学,2009,39(6):6，829-834. |
| APA | 李永亮,&徐秋霞.(2009).先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展.微电子学,39(6),6，829-834. |
| MLA | 李永亮,et al."先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展".微电子学 39.6(2009):6，829-834. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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