Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET
文献类型：外文期刊
| 作者 | Liu, HH; Xu, QX; Duan, XF |
| 发表日期 | 2009 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8976]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, HH,Xu, QX,Duan, XF. Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET. 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。