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Design and optimization considerations for bulk gate-all-around nanowire MOSFETs

文献类型:外文期刊

作者Cai, XW; Zhou, HJ; Xu, QX; Song, Y
发表日期2009
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8982]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Cai, XW,Zhou, HJ,Xu, QX,et al. Design and optimization considerations for bulk gate-all-around nanowire MOSFETs. 2009.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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