Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate
文献类型：外文期刊
| 作者 | Xu, QX; Hu, AB |
| 发表日期 | 2010 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8992]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, QX,Hu, AB. Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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