Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen DP(陈大鹏) ; Wang WW(王文武); Xiong YH(熊玉华)
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| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2011-02-25 |
| 英文摘要 | Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film |
| 公开日期 | 2012-11-14 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9121]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Xiong YH(熊玉华) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen DP,Wang WW,Xiong YH. Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011. |
| APA | Chen DP,Wang WW,&Xiong YH.(2011).Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film.APPLIED PHYSICS LETTERS. |
| MLA | Chen DP,et al."Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film".APPLIED PHYSICS LETTERS (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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