半导体器件的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨达; 尹海洲; 骆志炯; 朱慧珑 |
| 发表日期 | 2011-06-10 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2012-12-16 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11227]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨达,尹海洲,骆志炯,等. 半导体器件的制备方法. 2011-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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