Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐小明; 江忠永; 丛宏林; 赵超
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2013-06-26 |
| 英文摘要 | 介绍了在Si( 111) 衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层，系统研究了预铺铝时 间对成核层的影响 分别利用扫描电子显微镜( SEM) 和高分辨率X射线衍射( HRXRD) 对 AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征 实验结果表明，优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层 生长模式由3D向2D的转变 有效提高了AlN成核层的表面形貌，还可以提高其晶格质量 结 合实验现象，根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应，提出相应的生长模型，讨论了预铺铝 时间和AlN生长模式的关系，在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2014-10-30 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12066]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | 赵超 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐小明,江忠永,丛宏林,等. Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究[J]. 半导体技术,2013. |
| APA | 徐小明,江忠永,丛宏林,&赵超.(2013).Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究.半导体技术. |
| MLA | 徐小明,et al."Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究".半导体技术 (2013). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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