倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 朱慧珑; 张珂珂; 刘云飞; 尹海洲 |
| 出版日期 | 2013 |
| 英文摘要 | 随着MOSFET的特征尺寸按照摩尔定律不断减小并进入20nm技术节点，传统平面型结构器件由于短沟道效应日益显著，其漏电流不断增大，导致芯片静态功耗显著增加，不能满足市场对高性能低功耗集成电路的要求[1][2]。具有立体结构的多栅（Multi-Gate）器件（如FinFET、Trigate-FET）由于具有较强的栅控能力，可以有效地抑制器件的短沟道效应，进一步增加驱动电流的同时具有较小的泄漏电流，是20nm技术节点后构成集成电路的主要器件[3][4]。 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12080]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | 尹海洲 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,张珂珂,刘云飞,等. 倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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