低功耗体硅FinFETs器件沟道及源漏扩展区掺杂形貌优化
文献类型：会议论文
| 作者 | 朱慧珑; 张珂珂; 刘云飞; 尹海洲 |
| 出版日期 | 2013 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12458]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | 尹海洲 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,张珂珂,刘云飞,等. 低功耗体硅FinFETs器件沟道及源漏扩展区掺杂形貌优化[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。