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Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications

文献类型:期刊论文

作者Chen DP(陈大鹏); Xu QX(徐秋霞); Xu GB(许高博); Li YL(李永亮); Zhou HJ(周华杰); Li JF(李俊峰); Niu JB(牛洁斌); Ding MZ(丁明正); Ye TC(叶甜春)
刊名IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
出版日期2014-04-01
公开日期2015-04-24
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12712]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
通讯作者Xu QX(徐秋霞)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Chen DP,Xu QX,Xu GB,et al. Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2014.
APA Chen DP.,Xu QX.,Xu GB.,Li YL.,Zhou HJ.,...&Ye TC.(2014).Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES.
MLA Chen DP,et al."Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2014).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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