Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen DP(陈大鹏) ; Xu QX(徐秋霞); Xu GB(许高博); Li YL(李永亮); Zhou HJ(周华杰); Li JF(李俊峰); Niu JB(牛洁斌); Ding MZ(丁明正); Ye TC(叶甜春)
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| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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| 出版日期 | 2014-04-01 |
| 公开日期 | 2015-04-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12712]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Xu QX(徐秋霞) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen DP,Xu QX,Xu GB,et al. Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2014. |
| APA | Chen DP.,Xu QX.,Xu GB.,Li YL.,Zhou HJ.,...&Ye TC.(2014).Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. |
| MLA | Chen DP,et al."Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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