Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li JF(李俊峰) ; Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Guo YL(郭奕栾); Chen T(陈韬); Yin HX(殷华湘); Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超)
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| 刊名 | Solid-State Electronics
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| 出版日期 | 2014-06-02 |
| 公开日期 | 2015-04-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12716]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Luo J(罗军) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li JF,Wang GL,Luo J,et al. Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology[J]. Solid-State Electronics,2014. |
| APA | Li JF.,Wang GL.,Luo J.,Guo YL.,Chen T.,...&Zhao C.(2014).Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology.Solid-State Electronics. |
| MLA | Li JF,et al."Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology".Solid-State Electronics (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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