SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu Q(徐强); Wang GL(王桂磊) ; Ye TC(叶甜春); Luo J(罗军); Li CL(李春龙); Xu GB(许高博); Yu JH(余嘉晗); Yin HZ(尹海洲); Li JF(李俊峰); Yan J(闫江)
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| 刊名 | The Electrochemical Society
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| 出版日期 | 2014-04-01 |
| 公开日期 | 2015-04-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12718]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Wang GL(王桂磊) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu Q,Wang GL,Ye TC,et al. SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond[J]. The Electrochemical Society,2014. |
| APA | Xu Q.,Wang GL.,Ye TC.,Luo J.,Li CL.,...&Yang T.(2014).SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond.The Electrochemical Society. |
| MLA | Xu Q,et al."SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond".The Electrochemical Society (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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