Innovatively composite hard mask to feature sub-30nm gate patterning
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan J(闫江) ; Zhao C(赵超); Meng LK(孟令款); Li CL(李春龙); He XB(贺晓彬); Luo J(罗军); Li JF(李俊峰)
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| 刊名 | Microelectronic Engineering
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| 出版日期 | 2014 |
| 公开日期 | 2015-05-06 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12750]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Meng LK(孟令款) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan J,Zhao C,Meng LK,et al. Innovatively composite hard mask to feature sub-30nm gate patterning[J]. Microelectronic Engineering,2014. |
| APA | Yan J.,Zhao C.,Meng LK.,Li CL.,He XB.,...&Li JF.(2014).Innovatively composite hard mask to feature sub-30nm gate patterning.Microelectronic Engineering. |
| MLA | Yan J,et al."Innovatively composite hard mask to feature sub-30nm gate patterning".Microelectronic Engineering (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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