Doping profile optimisation in bulk FinFET channeland source/drain extension regions for low off-state leakage
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ye TC(叶甜春) ; Zhang KK(张珂珂); Liu YF(刘云飞); Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超); Yin HZ(尹海洲)
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| 刊名 | Int. J. Nanotechnol
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| 出版日期 | 2014-11-01 |
| 公开日期 | 2015-05-06 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12758]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Yin HZ(尹海洲) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ye TC,Zhang KK,Liu YF,et al. Doping profile optimisation in bulk FinFET channeland source/drain extension regions for low off-state leakage[J]. Int. J. Nanotechnol,2014. |
| APA | Ye TC,Zhang KK,Liu YF,Zhu HL,Zhao C,&Yin HZ.(2014).Doping profile optimisation in bulk FinFET channeland source/drain extension regions for low off-state leakage.Int. J. Nanotechnol. |
| MLA | Ye TC,et al."Doping profile optimisation in bulk FinFET channeland source/drain extension regions for low off-state leakage".Int. J. Nanotechnol (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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