半导体器件构及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯; 杨达 |
| 发表日期 | 2012-05-16 |
| 专利号 | US8669160 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 国际专利 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13156]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯,等. 半导体器件构及其制造方法. US8669160. 2012-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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