本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；形成于石墨烯层上的栅极区；形成于栅极区一侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区；其中所述半导体掺杂区为所述器件结构的漏极区，位于所述栅极区另一侧的石墨烯层为所述器件结构的源极区。通过所述半导体掺杂区来提高石墨烯器件的开关比，而不必增大石墨烯材料本身的带隙亦即不牺牲材料的迁移率和器件的速度，从而使石墨烯材料在CMOS器件中的得到更好的应用。