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受控横向刻蚀方法

文献类型:专利

作者骆志炯; 朱慧珑; 尹海洲
发表日期2016-01-27
专利号CN201110281364.8
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本申请公开了一种受控横向刻蚀方法,包括:在包括突出结构的第一材料层上形成第二材料层;在所述第二材料层与所述突出结构的竖直表面相对的外侧,形成侧墙;在所述第二材料层以及所述侧墙的表面上形成第三材料层;在所述第三材料层上覆盖沿第一材料层的横向表面方向延伸的掩膜层;对所述突出结构侧面上的层进行横向刻蚀。

公开日期2013-04-03
申请日期2011-09-21
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14231]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
骆志炯,朱慧珑,尹海洲. 受控横向刻蚀方法. CN201110281364.8. 2016-01-27.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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