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半导体器件及其制造方法

文献类型:专利

作者朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
发表日期2016-02-24
专利号CN201110265073.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:由多个半导体子层构成的半导体层;在所述半导体层中接于所述半导体层形成的多个鳍片,其中,至少两个鳍片分别包括不同数目的半导体子层,且具有不同的高度。根据本发明,能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件,并提供具有不同驱动能力的器件。

公开日期2013-03-27
申请日期2011-09-08
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14361]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
朱慧珑,尹海洲,骆志炯. 半导体器件及其制造方法. CN201110265073.X. 2016-02-24.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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