半导体器件及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 朱慧珑![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2016-02-24 |
专利号 | CN201110265073.X |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:由多个半导体子层构成的半导体层;在所述半导体层中接于所述半导体层形成的多个鳍片,其中,至少两个鳍片分别包括不同数目的半导体子层,且具有不同的高度。根据本发明,能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件,并提供具有不同驱动能力的器件。 |
公开日期 | 2013-03-27 |
申请日期 | 2011-09-08 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14361] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯. 半导体器件及其制造方法. CN201110265073.X. 2016-02-24. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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