本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；第一栅极和第二栅极，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁的中间区域上；第三栅极，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；源/漏区，位于分别与所述两个半导体鳍片两端相连接的源/漏结构内；源/漏延伸区，分别位于所述第一栅极和第二栅极两侧的半导体鳍片内；栅介质层，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极与所述两个半导体鳍片之间；接触层，位于所述源/漏延伸区的侧表面上。本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明有效地减小了双鳍型半导体结构源/漏延伸区的接触电阻，提高了性能。