本实用新型提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括，栅极堆叠，所述栅极堆叠形成于有源区上且暴露剩余的所述有源区，还包括：第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层嵌于所述有源区中，所述第一接触层至少覆盖部分所述有源区，所述第二接触层接于所述第一接触层；与所述第一接触层相比，所述第二接触层更远离所述栅堆叠，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数，所述第一接触层的材料包括TiSi、PtSi、CoSi2中的一种或其组合。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。