一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 尚海平; 徐秋霞 |
| 发表日期 | 2009-02-03 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法，该方法包括：步骤1：采用两步镍-自对准硅化物工艺形成一硅化镍膜；步骤2：对该硅化镍膜进行低能高剂量杂质注入；步骤3：对该硅化镍膜进行快速热退火。本发明提供的肖特基势垒高度的调节方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行和成本低等优点，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 |
| 公开日期 | 2016-03-18 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14559]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚海平,徐秋霞. 一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法. 2009-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。