一种镍-自对准硅化物的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 尚海平; 徐秋霞 |
| 发表日期 | 2009-02-09 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种镍-自对准硅化物的制备方法，该方法包括：步骤1：采用氮化钛/镍/硅固相反应结构，通过镍与硅的固相反应生长硅化镍薄膜；步骤2：采用氢氟酸/异丙醇溶液对硅片进行清洗；步骤3：溅射氮化钛/镍膜前对真空腔及硅片进行退火处理；步骤4：在硅片上溅射氮化钛/镍复合金属膜；步骤5：采用镍-自对准硅化物工艺形成镍化硅。本发明提供的这种镍-自对准硅化物的制备方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行、成本低和没有环境污染的优点。 |
| 公开日期 | 2016-03-18 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14573]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚海平,徐秋霞. 一种镍-自对准硅化物的制备方法. 2009-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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