Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li JF(李俊峰) ; Wang GL(王桂磊); Xu YF(徐烨峰); Luo J(罗军); Guo YL(郭奕栾); Qin ZL(秦长亮); Tang ZY(唐兆云); Yin HX(殷华湘); Yan J(闫江); Zhu HL(朱慧珑)
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| 刊名 | Solid-State Electronics
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| 出版日期 | 2015-07-31 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15065]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li JF,Wang GL,Xu YF,et al. Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs[J]. Solid-State Electronics,2015. |
| APA | Li JF.,Wang GL.,Xu YF.,Luo J.,Guo YL.,...&Ye TC.(2015).Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs.Solid-State Electronics. |
| MLA | Li JF,et al."Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs".Solid-State Electronics (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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