Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2？High-k ？Layer and Its Impact on Lifetime Extraction
文献类型：期刊论文
| 作者 | 万光星; 朱慧珑
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| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2015-10-14 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15067]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万光星,朱慧珑. Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2？High-k ？Layer and Its Impact on Lifetime Extraction[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015. |
| APA | 万光星,&朱慧珑.(2015).Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2？High-k ？Layer and Its Impact on Lifetime Extraction.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | 万光星,et al."Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2？High-k ？Layer and Its Impact on Lifetime Extraction".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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